¡¡Articulo del GIN en Advanced Theory and Simulations!!

Lateral and frontal view of hydrogenated roundish SiC-QD’s C-Rich and Si-Rich with carbon and silicon defects.

Electronic Properties of Si and C Substitutional Defects and Porosity in C-Rich and Si-Rich Hydrogenated Roundish SiC Quantum Dots: An Ab-Initio Study

El Grupo de Investigación en Nanociencias felicita a sus miembros José Luis Cuevas Figueroa, Saravana Prakash Thirumuruganandham, Duncan John Mowbray, Alejandro Trejo Baños, Fernando Adán Serrano Orozco, Fabian Jimenez y Miguel Ojeda-Martínez por esta publicación en Advanced Theory and Simulations.
En este artículo se estudian puntos cuánticos SiC con y sin defectos.
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