El Dr. Alejandro Trejo se graduó de doctorado en Comunicaciones y Electrónica en el 2015 en la Escuela Superior de Ingeniería Mecánica y Eléctrica unidad Culhuacan, desde el 2016 hasta la fecha realiza investigación sobre las propiedades electrónicas, ópticas y vibracionales de semiconductores binarios nanoestructurados, y sus posibles aplicaciones en fuentes alternas de energía en celdas solares, almacenamiento de energía, y emisión de fotones únicos para computación y comunicaciones cuánticas. Ha publicado más de 30 artículos en revistas internacionales indizadas en el JCR y ha participado en más de 50 congresos nacionales e internacionales, con trabajos en modalidad, poster, oral y conferencia magistral. Ha graduado a 9 estudiantes de maestría y asesorado dos proyectos terminales de licenciatura. Se encuentra asesorando o co-asesorando actualmente dos tesis del doctorado en Energía y una en el Doctorado en Comunicaciones y Electrónica. Entre sus reconocimientos se encuentran: Investigador nacional nivel 1 del sistema nacional de investigadores desde el 2015 hasta la fecha, ganador premio a la investigación del instituto politécnico nacional en la modalidad de Investigación realizada por jóvenes investigadores, dos veces ganador de la Presea Lázaro Cárdenas por mejor aprovechamiento en maestría y doctorado, Premio a la mejor Tesis de Maestría del Instituto Politécnico Nacional, Premio a la Mejor tesis de doctorado del Instituto de Investigaciones en Materiales de La Universidad Nacional Autónoma de México, mención honorífica en su examen de grado de Maestría y Doctorado, y en el examen profesional de Licenciatura. Miembro de las redes de Energía y Micro y Nano tecnología del Instituto Politécnico Nacional.
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Trejo, A.; Calvino, M.; Cruz-Irisson, M.
Chemical surface passivation of 3C-SiC nanocrystals: A first-principle study Artículo de revista
En: International Journal of Quantum Chemistry, vol. 110, no 13, pp. 2455-2461, 2010.
Resumen | Enlaces | BibTeX | Etiquetas: Density Functional Theory, Porous silicon carbide, silicon carbide nanowires
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abstract = {Abstract The effect of the chemical surface passivation, with hydrogen atoms, on the energy band gap of porous cubic silicon carbide (PSiC) was investigated. The pores are modeled by means of the supercell technique, in which columns of Si and/or C atoms are removed along the [001] direction. Within this supercell model, morphology effects can be analyzed in detail. The electronic band structure is performed using the density functional theory based on the generalized gradient approximation. Two types of pores are studied: C-rich and Si-rich pores surface. The enlargement of energy band gap is greater in the C-rich than Si-rich pores surface. This supercell model emphasizes the interconnection between 3C-SiC nanocrystals, delocalizing the electronic states. However, the results show a clear quantum confinement signature, which is contrasted with that of nanowire systems. The calculation shows a significant response to changes in surface passivation with hydrogen. The chemical tuning of the band gap opens the possibility plenty applications in nanotechnology. © 2010 Wiley Periodicals, Inc. Int J Quantum Chem 110:2455\textendash2461, 2010},
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