Surface morphology effects on the mechanical and electronic properties of halogenated porous 3C-SiC: A DFT study
El GIN felicita a sus miembros: Ricardo Bermeo Campos, Karina Madrigal Carrillo, Sara Elizabeth Pérez Figueroa, Marbella Calvino, Alejandro Trejo, Fernando Salazar, Álvaro Miranda y Miguel Cruz Irisson por esta nueva publicación. En este artículo se discuten las alteraciones a las propiedades electrónicas del carburo de silicio poroso derivadas de distintas morfologías y pasivaciones superficiales
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