Publicación del GIN en Journal of Energy Storage

First-principles study of interstitial Li effects on the electronic, structural and diffusion properties of highly boron-doped porous silicon

El Grupo de Investigación en Nanociencias felicita a sus miembros I. Gonzáles, R. Nava, M. Cruz-Irisson, J.A. del Río, I. Ornelas-Cruz, J. Pilo, Y.G. Rubo, A. Trejo y J. Tagüeña por esta publicación. En este artículo se modeló silicio poroso dopado por boro y pasivado con hidrógeno para analizar el efecto que tienen los átomos de Litio intersticiales sobre sus propiedades electrónicas, estructurales y de difusión. Para más información: