El Dr. Alejandro Trejo se graduó de doctorado en Comunicaciones y Electrónica en el 2015 en la Escuela Superior de Ingeniería Mecánica y Eléctrica unidad Culhuacan, desde el 2016 hasta la fecha realiza investigación sobre las propiedades electrónicas, ópticas y vibracionales de semiconductores binarios nanoestructurados, y sus posibles aplicaciones en fuentes alternas de energía en celdas solares, almacenamiento de energía, y emisión de fotones únicos para computación y comunicaciones cuánticas. Ha publicado más de 30 artículos en revistas internacionales indizadas en el JCR y ha participado en más de 50 congresos nacionales e internacionales, con trabajos en modalidad, poster, oral y conferencia magistral. Ha graduado a 9 estudiantes de maestría y asesorado dos proyectos terminales de licenciatura. Se encuentra asesorando o co-asesorando actualmente dos tesis del doctorado en Energía y una en el Doctorado en Comunicaciones y Electrónica. Entre sus reconocimientos se encuentran: Investigador nacional nivel 1 del sistema nacional de investigadores desde el 2015 hasta la fecha, ganador premio a la investigación del instituto politécnico nacional en la modalidad de Investigación realizada por jóvenes investigadores, dos veces ganador de la Presea Lázaro Cárdenas por mejor aprovechamiento en maestría y doctorado, Premio a la mejor Tesis de Maestría del Instituto Politécnico Nacional, Premio a la Mejor tesis de doctorado del Instituto de Investigaciones en Materiales de La Universidad Nacional Autónoma de México, mención honorífica en su examen de grado de Maestría y Doctorado, y en el examen profesional de Licenciatura. Miembro de las redes de Energía y Micro y Nano tecnología del Instituto Politécnico Nacional.
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Bermeo-Campos, R.; Madrigal-Carrillo, K.; Perez-Figueroa, S. E.; Calvino, M.; Trejo, A.; Salazar, F.; Miranda, A.; Cruz-Irisson, M.
Surface morphology effects on the mechanical and electronic properties of halogenated porous 3C-SiC: A DFT study Artículo de revista
En: Applied Surface Science, vol. 631, pp. 157481, 2023, ISSN: 0169-4332.
Resumen | Enlaces | BibTeX | Etiquetas: DFT, electronic properties, Halogens, Mechanical properties, Porous SiC
@article{BERMEOCAMPOS2023157481,
title = {Surface morphology effects on the mechanical and electronic properties of halogenated porous 3C-SiC: A DFT study},
author = {R. Bermeo-Campos and K. Madrigal-Carrillo and S. E. Perez-Figueroa and M. Calvino and A. Trejo and F. Salazar and A. Miranda and M. Cruz-Irisson},
url = {https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0169433223011595},
doi = {https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2023.157481},
issn = {0169-4332},
year = {2023},
date = {2023-01-01},
journal = {Applied Surface Science},
volume = {631},
pages = {157481},
abstract = {Silicon carbide nanostructures have been widely studied due to their potential technological applications. However, the theoretical characterization, especially the effect of the surface on the mechanical properties of this material is still underexplored. In this work, we report the electronic and mechanical properties of 3C-SiC nanopores with different pore surfaces and different passivation schemes using a density functional theory approach and the supercell technique. The nanopores were modeled by removing columns of atoms in the [001] direction, thus creating four types of pores, two with an Only C or Si pore and two with a C or Si-Rich pore surface. All surfaces were passivated with hydrogen, then some atoms of H were replaced with fluorine and chlorine. Results show that pores with a higher concentration of C on the surface have a larger bandgap compared with the Si cases. Moreover, only a few changes can be observed due to passivation. For the mechanical properties the Bulk and Young’s modulus were calculated and show that the Only C structures were the most brittle and, for almost all the pores, the H + Cl passivation improve the Bulk modulus.},
keywords = {DFT, electronic properties, Halogens, Mechanical properties, Porous SiC},
pubstate = {published},
tppubtype = {article}
}
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