El Dr. Alejandro Trejo se graduó de doctorado en Comunicaciones y Electrónica en el 2015 en la Escuela Superior de Ingeniería Mecánica y Eléctrica unidad Culhuacan, desde el 2016 hasta la fecha realiza investigación sobre las propiedades electrónicas, ópticas y vibracionales de semiconductores binarios nanoestructurados, y sus posibles aplicaciones en fuentes alternas de energía en celdas solares, almacenamiento de energía, y emisión de fotones únicos para computación y comunicaciones cuánticas. Ha publicado más de 30 artículos en revistas internacionales indizadas en el JCR y ha participado en más de 50 congresos nacionales e internacionales, con trabajos en modalidad, poster, oral y conferencia magistral. Ha graduado a 9 estudiantes de maestría y asesorado dos proyectos terminales de licenciatura. Se encuentra asesorando o co-asesorando actualmente dos tesis del doctorado en Energía y una en el Doctorado en Comunicaciones y Electrónica. Entre sus reconocimientos se encuentran: Investigador nacional nivel 1 del sistema nacional de investigadores desde el 2015 hasta la fecha, ganador premio a la investigación del instituto politécnico nacional en la modalidad de Investigación realizada por jóvenes investigadores, dos veces ganador de la Presea Lázaro Cárdenas por mejor aprovechamiento en maestría y doctorado, Premio a la mejor Tesis de Maestría del Instituto Politécnico Nacional, Premio a la Mejor tesis de doctorado del Instituto de Investigaciones en Materiales de La Universidad Nacional Autónoma de México, mención honorífica en su examen de grado de Maestría y Doctorado, y en el examen profesional de Licenciatura. Miembro de las redes de Energía y Micro y Nano tecnología del Instituto Politécnico Nacional.
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Santiago, Francisco; Miranda, Álvaro; Trejo, Alejandro; Salazar, Fernando; Carvajal, Eliel; Cruz-Irisson, Miguel; Pérez, Luis A.
Quantum confinement effects on the harmful-gas-sensing properties of silicon nanowires Artículo de revista
En: International Journal of Quantum Chemistry, vol. 118, no 20, pp. e25713, 2018.
Resumen | Enlaces | BibTeX | Etiquetas: Density Functional Theory, Nanowires, Sensors, silicon, toxic gases
@article{https://doi.org/10.1002/qua.25713,
title = {Quantum confinement effects on the harmful-gas-sensing properties of silicon nanowires},
author = {Francisco Santiago and \'{A}lvaro Miranda and Alejandro Trejo and Fernando Salazar and Eliel Carvajal and Miguel Cruz-Irisson and Luis A. P\'{e}rez},
url = {https://onlinelibrary.wiley.com/doi/abs/10.1002/qua.25713},
doi = {https://doi.org/10.1002/qua.25713},
year = {2018},
date = {2018-01-01},
journal = {International Journal of Quantum Chemistry},
volume = {118},
number = {20},
pages = {e25713},
abstract = {Abstract In this work, the effects of the adsorption of different toxic gas molecules CO, NO, NO2, and SO2 on the electronic structure of hydrogen-passivated, [111]-oriented, silicon nanowires (H-SiNWs), are studied through density functional theory. To analyze the effects of quantum confinement, three nanowire diameters are considered. The results show that the adsorption energies are almost independent of the nanowire diameter with NO2 being the most strongly adsorbed molecule (∼3.44 eV). The electronic structure of small-diameter H-SiNWs is modified due to the creation of isolated defect-like states on molecule adsorption. However, these discrete levels are eventually hybridized with the former nanowire states as the nanowire diameter increases and quantum confinement effects become less evident. Hence, there is a range of small nanowire diameters with distinctive band gaps and adsorption energies for each molecule species.},
keywords = {Density Functional Theory, Nanowires, Sensors, silicon, toxic gases},
pubstate = {published},
tppubtype = {article}
}
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