Estudió la carrera de Ingeniería en Comunicaciones y Electrónica de 1999 a 2003 en la Escuela Superior de Ingeniería en Mecánica y Eléctrica (ESIME) Unidad de Culhuacán del Instituto Politécnico Nacional (IPN). Posteriormente realizo la Maestría en Ciencias de Ingeniería en Microelectrónica del 2004 al 2006 y el Doctorado en Comunicaciones y Electrónica del 2007 al 2010 en la Sección de Estudio de Posgrado e Investigación en la ESIME Culhuacán bajo la dirección del Dr. Miguel Cruz Irisson. Realizó una estancia de investigación en la Universidad Autónoma de Barcelona es España en el 2009 bajo la supervisión del Dr. Riccardo Rurali, como parte de estudios doctorales. Recibió el Premio al mejor desempeño académico del Doctorado en Comunicaciones y Electrónica en el 2008, recibió mención honorífica en su examen de grado del doctorado, así como el ganador al premio a la mejor tesis doctoral 2010 del IPN. El Dr. Miranda realizó una estancia posdoctoral en el Instituto de Ciencias de Materiales de Barcelona España, bajo la dirección del Dr. Enric Canadell del 2011 al 2013, posteriormente regresa a México a realizar una estancia posdoctoral en el Instituto de Física de la UNAM, bajo la supervisión del Dr. Luis Antonio Pérez del 2013 al 2015. En el 2015 ha seleccionado por parte del CONACYT como ganador de una beca de Retención para realizar investigación en el Instituto Politécnico Nacional, posteriormente es contratado por parte del Instituto Politécnico Nacional desde el 2016, con contrato definitivo a partir del 2020. A la fecha ha dirigido 1 tesis doctoral, 10 tesis de maestría, una de licenciatura, actualmente dirige 1 tesis doctoral, 3 tesis de maestría y 2 tesis de licenciatura. Ha publicado un total de 43 artículos científicos. Como resultado de sus estudios doctorales recibió la distinción de Investigador Nacional Nivel I, por parte del Sistema Nacional de Investigadores desde el 2012, nombramiento que tiene vigente a la fecha. Sus intereses en investigación son principalmente el estudio de las propiedades físicas y químicas de sistemas de baja dimensionalidad y sus aplicaciones en la electrónica, en particular como sensores, y en el almacenamiento de energía, tales como almacenamiento de hidrógeno y baterías.
Enlaces a perfiles académicos:
Miranda, A.; Serrano, F. A.; Vázquez-Medina, R.; Cruz-Irisson, M.
Hydrogen surface passivation of Si and Ge nanowires: A semiempirical approach Artículo de revista
En: International Journal of Quantum Chemistry, vol. 110, no 13, pp. 2448-2454, 2010.
Resumen | Enlaces | BibTeX | Etiquetas: Germanium, Nanowires, optical properties, silicon, Tight-binding
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abstract = {Abstract A semiempirical nearest-neighbor tight-binding approach, that reproduces the indirect band gaps of elemental semiconductors, has been applied to study the electronic and optical properties of Si and Ge nanowires (NWs). The calculations show that Si-NWs keep the indirect bandgap whereas Ge-NWs changes into the direct bandgap when the wire cross section becomes smaller. Also, the band gap enhancement of Si-NWs showing to quantum confinement effects is generally larger than that of similar-sized Ge-NWs, confirming the larger quantum confinement effects in Si than in Ge when they are confined in two dimensions. Finally, the dependence of the imaginary part of the dielectric function on the quantum confinement within two different schemes: intra-atomic and interatomic optical matrix elements are applied. © 2010 Wiley Periodicals, Inc. Int J Quantum Chem 110:2448\textendash2454, 2010},
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