Estudió la carrera de Ingeniería en Comunicaciones y Electrónica de 1999 a 2003 en la Escuela Superior de Ingeniería en Mecánica y Eléctrica (ESIME) Unidad de Culhuacán del Instituto Politécnico Nacional (IPN). Posteriormente realizo la Maestría en Ciencias de Ingeniería en Microelectrónica del 2004 al 2006 y el Doctorado en Comunicaciones y Electrónica del 2007 al 2010 en la Sección de Estudio de Posgrado e Investigación en la ESIME Culhuacán bajo la dirección del Dr. Miguel Cruz Irisson. Realizó una estancia de investigación en la Universidad Autónoma de Barcelona es España en el 2009 bajo la supervisión del Dr. Riccardo Rurali, como parte de estudios doctorales. Recibió el Premio al mejor desempeño académico del Doctorado en Comunicaciones y Electrónica en el 2008, recibió mención honorífica en su examen de grado del doctorado, así como el ganador al premio a la mejor tesis doctoral 2010 del IPN. El Dr. Miranda realizó una estancia posdoctoral en el Instituto de Ciencias de Materiales de Barcelona España, bajo la dirección del Dr. Enric Canadell del 2011 al 2013, posteriormente regresa a México a realizar una estancia posdoctoral en el Instituto de Física de la UNAM, bajo la supervisión del Dr. Luis Antonio Pérez del 2013 al 2015. En el 2015 ha seleccionado por parte del CONACYT como ganador de una beca de Retención para realizar investigación en el Instituto Politécnico Nacional, posteriormente es contratado por parte del Instituto Politécnico Nacional desde el 2016, con contrato definitivo a partir del 2020. A la fecha ha dirigido 1 tesis doctoral, 10 tesis de maestría, una de licenciatura, actualmente dirige 1 tesis doctoral, 3 tesis de maestría y 2 tesis de licenciatura. Ha publicado un total de 43 artículos científicos. Como resultado de sus estudios doctorales recibió la distinción de Investigador Nacional Nivel I, por parte del Sistema Nacional de Investigadores desde el 2012, nombramiento que tiene vigente a la fecha. Sus intereses en investigación son principalmente el estudio de las propiedades físicas y químicas de sistemas de baja dimensionalidad y sus aplicaciones en la electrónica, en particular como sensores, y en el almacenamiento de energía, tales como almacenamiento de hidrógeno y baterías.
Enlaces a perfiles académicos:
Ornelas-Cruz, I.; Trejo, A.; Oviedo-Roa, R.; Salazar, F.; Carvajal, E.; Miranda, A.; Cruz-Irisson, M.
DFT-based study of the bulk tin mixed-halide CsSnI3-xBrx perovskite Artículo de revista
En: Computational Materials Science, vol. 178, pp. 109619, 2020, ISSN: 0927-0256.
Resumen | Enlaces | BibTeX | Etiquetas: DFT, Metal-halide, Mixed-halide, Perovskite, Photovoltaic
@article{ORNELASCRUZ2020109619,
title = {DFT-based study of the bulk tin mixed-halide CsSnI3-xBrx perovskite},
author = {I. Ornelas-Cruz and A. Trejo and R. Oviedo-Roa and F. Salazar and E. Carvajal and A. Miranda and M. Cruz-Irisson},
url = {https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0927025620301105},
doi = {https://doi.org/10.1016/j.commatsci.2020.109619},
issn = {0927-0256},
year = {2020},
date = {2020-01-01},
journal = {Computational Materials Science},
volume = {178},
pages = {109619},
abstract = {Metal-halide perovskites compounds, such as CsSnX3 (X = halogen), have attracted a lot of attention as a photovoltaic material due to their astonishing optoelectronic properties, nevertheless, the improvement of its efficiency is still an issue. It has been observed that the mixing of halogens in the perovskite structure increases the compound stability. However, theoretical studies of the effects of this mixing are scarce; by understanding the most stable mixing positions it would be possible to enhance the stability of these structures, which in turn it would help to enhance the performance of a perovskite-based photovoltaic device. Thus, a Density Functional Theory study was performed on the CsSnI3-xBrx perovskite as a function of the bromine concentration (0 ≤ x ≤ 3). The distortions of the octahedral array and the energy gap of each system studied are highly dependent on the position of bromine atoms within the unit-cell. It was observed that stable compounds could be found at x = 0.5, 1.0, and 2.0 due to the strengthening of the metal-halogen bonds. These results could explain the literature-reported enhance of the performance, as a photovoltaic material, of CsSnI3-xBrx with respect to CsSnI3. Besides, non-covalent interactions between halogens and Cs atoms were found. Different energies attributed to such interactions were calculated and revealed that the off-centering of Cs atoms are driven by the countering effect of the I-(1−δ)-Sn-Br-(1+δ) polar bonds within CsSnI3-xBrx. These results give an insight of the properties of the CsSnI3-xBrx alloy and its stability which could be beneficial to the rising field of perovskite photovoltaics.},
keywords = {DFT, Metal-halide, Mixed-halide, Perovskite, Photovoltaic},
pubstate = {published},
tppubtype = {article}
}
© 2022 Grupo de Investigación en Nanociencias de ESIME Culhuacan | All Rights Reserved. | Hecho por Vleeko Agencia de Marketing Digital CDMX
¡Escríbenos!