Dr Álvaro Miranda Durán

Estudió la carrera de Ingeniería en Comunicaciones y Electrónica de 1999 a 2003 en la Escuela Superior de Ingeniería en Mecánica y Eléctrica (ESIME) Unidad de Culhuacán del Instituto Politécnico Nacional (IPN). Posteriormente realizo la Maestría en Ciencias de Ingeniería en Microelectrónica del 2004 al 2006 y el Doctorado en Comunicaciones y Electrónica del 2007 al 2010 en la Sección de Estudio de Posgrado e Investigación en la ESIME Culhuacán bajo la dirección del Dr. Miguel Cruz Irisson. Realizó una estancia de investigación en la Universidad Autónoma de Barcelona es España en el 2009 bajo la supervisión del Dr. Riccardo Rurali, como parte de estudios doctorales. Recibió el Premio al mejor desempeño académico del Doctorado en Comunicaciones y Electrónica en el 2008, recibió mención honorífica en su examen de grado del doctorado, así como el ganador al premio a la mejor tesis doctoral 2010 del IPN. El Dr. Miranda realizó una estancia posdoctoral en el Instituto de Ciencias de Materiales de Barcelona España, bajo la dirección del Dr. Enric Canadell del 2011 al 2013, posteriormente regresa a México a realizar una estancia posdoctoral en el Instituto de Física de la UNAM, bajo la supervisión del Dr. Luis Antonio Pérez del 2013 al 2015. En el 2015 ha seleccionado por parte del CONACYT como ganador de una beca de Retención para realizar investigación en el Instituto Politécnico Nacional, posteriormente es contratado por parte del Instituto Politécnico Nacional desde el 2016, con contrato definitivo a partir del 2020. A la fecha ha dirigido 1 tesis doctoral, 10 tesis de maestría, una de licenciatura, actualmente dirige 1 tesis doctoral, 3 tesis de maestría y 2 tesis de licenciatura. Ha publicado un total de 43 artículos científicos. Como resultado de sus estudios doctorales recibió la distinción de Investigador Nacional Nivel I, por parte del Sistema Nacional de Investigadores desde el 2012, nombramiento que tiene vigente a la fecha. Sus intereses en investigación son principalmente el estudio de las propiedades físicas y químicas de sistemas de baja dimensionalidad y sus aplicaciones en la electrónica, en particular como sensores, y en el almacenamiento de energía, tales como almacenamiento de hidrógeno y baterías.

Enlaces a perfiles académicos:

Lista de publicaciones

2018

González, I.; Trejo, A.; Calvino, M.; Miranda, A.; Salazar, F.; Carvajal, E.; Cruz-Irisson, M.

Effects of surface and confinement on the optical vibrational modes and dielectric function of 3C porous silicon carbide: An ab-initio study Artículo de revista

En: Physica B: Condensed Matter, vol. 550, pp. 420-427, 2018, ISSN: 0921-4526.

Resumen | Enlaces | BibTeX | Etiquetas: DFPT, Dielectric function, Phonon optical modes, Porous silicon carbide

@article{GONZALEZ2018420,

title = {Effects of surface and confinement on the optical vibrational modes and dielectric function of 3C porous silicon carbide: An ab-initio study},

author = {I. Gonz\'{a}lez and A. Trejo and M. Calvino and A. Miranda and F. Salazar and E. Carvajal and M. Cruz-Irisson},

url = {https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0921452618303569},

doi = {https://doi.org/10.1016/j.physb.2018.05.024},

issn = {0921-4526},

year  = {2018},

date = {2018-01-01},

journal = {Physica B: Condensed Matter},

volume = {550},

pages = {420-427},

abstract = {Nanoporous silicon carbide is an interesting material with multiple potential applications, especially in supercapacitors, while there are many experimental investigations on the properties of this material, theoretical studies on its vibrational and optical properties are still scarce. This work studies the effect of quantum confinement on the dielectric function and optical vibrational modes of 3C porous silicon carbide from ab-initio calculations using density functional theory and density functional perturbation theory. The porous structures are modelled in the [001] direction by removing columns of atoms of a perfect Si crystal, obtaining two surface configurations: one with only C atoms and another one with Si atoms. Results show that the optical phonon modes of Si and C undergo a shift towards lower frequencies compared to their bulk counterparts due to phonon confinement effects. However, this shift is masked by H bending vibrations. Also, a surface H exchange process is observed on the Si-rich pore surface due to bond stretching and bending vibrations. The dielectric function analysis shows an increased optical activity in the porous cases due to a shift of the conduction band minimum towards gamma point for the C-rich case and high porosity Si-rich case, owing to quantum confinement effects. These results could be important for the applications of these nanostructures devices such as sensors and UV detectors.},

keywords = {DFPT, Dielectric function, Phonon optical modes, Porous silicon carbide},

pubstate = {published},

tppubtype = {article}

}

Cerrar

Dr Álvaro Miranda Durán

Lista de publicaciones

2018

Dirección

Teléfono