Dr Fernando Salazar Posadas

El Dr. Fernando Salazar Posadas es egresado del Instituto de Física “Manuel Sandoval Vallarta” de la Facultad de Ciencias de la Universidad Autónoma de San Luis Potosí. Su trabajo de investigación doctoral lo desarrolló en el Instituto de Investigaciones en Materiales de la UNAM, posteriormente realizó una estancia posdoctoral en el Instituto de Física de la UNAM. Actualmente está adscrito a la Sección de Estudios de Posgrado e Investigación de la Escuela Superior de Ingeniería Mecánica y Eléctrica, unidad Culhuacán del Instituto Politécnico Nacional. Su trabajo de investigación lo desarrolla con el Grupo de Investigación en Nanociencias, en donde se investigan las propiedades físicas y químicas de nanomateriales con modelos y simulación computacional usando la Teoría del Funcional de la Densidad. Estas investigaciones, se aplican para mejorar diferentes sistemas energéticos como las celdas fotovoltaicas, detección de moléculas tóxicas, almacenamiento de hidrógeno, almacenamiento de energía en baterías recargables. En particular, el Dr. Salazar es responsable de desarrollar el modelado teórico, simulación computacional y diseño de electrodos nanoestructurados para su aplicación en baterías recargables. Pertenece al Sistema Nacional de Investigadores del CONACyT desde 2010, es miembro de la Sociedad Mexicana de Física y de la División de Estado Sólido desde 2014. Sus actividades como docente incluyen cursos de matemáticas y física en las carreras de ingeniería y en los programas de posgrado de la ESIME Culhuacán. Ha dirigido dos tesis de licenciatura y nueve en el programa Maestría en Ciencias de Ingeniería en Sistemas Energéticos. Actualmente dirige tres tesis de licenciatura, tres tesis de maestría y una tesis de doctorado en el programa de Doctorado en Energía. En su trayectoria de investigación tiene 29 publicaciones en revistas internacionales, donde se estudian las propiedades electrónicas, mecánicas, vibracionales y de transporte electrónico y térmico de materiales nanoestructurados y sus posibles aplicaciones para mejorar sistemas energéticos. El Dr. Fernando Salazar es actualmente el coordinador del programa Doctorado en Energía de la sede ESIME-Culhuacán, cargo que le fue asignado el 16 de septiembre de 2020.

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Lista de publicaciones

2018

González, I.; Trejo, A.; Calvino, M.; Miranda, A.; Salazar, F.; Carvajal, E.; Cruz-Irisson, M.

Effects of surface and confinement on the optical vibrational modes and dielectric function of 3C porous silicon carbide: An ab-initio study Artículo de revista

En: Physica B: Condensed Matter, vol. 550, pp. 420-427, 2018, ISSN: 0921-4526.

Resumen | Enlaces | BibTeX | Etiquetas: DFPT, Dielectric function, Phonon optical modes, Porous silicon carbide

@article{GONZALEZ2018420,

title = {Effects of surface and confinement on the optical vibrational modes and dielectric function of 3C porous silicon carbide: An ab-initio study},

author = {I. Gonz\'{a}lez and A. Trejo and M. Calvino and A. Miranda and F. Salazar and E. Carvajal and M. Cruz-Irisson},

url = {https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0921452618303569},

doi = {https://doi.org/10.1016/j.physb.2018.05.024},

issn = {0921-4526},

year  = {2018},

date = {2018-01-01},

journal = {Physica B: Condensed Matter},

volume = {550},

pages = {420-427},

abstract = {Nanoporous silicon carbide is an interesting material with multiple potential applications, especially in supercapacitors, while there are many experimental investigations on the properties of this material, theoretical studies on its vibrational and optical properties are still scarce. This work studies the effect of quantum confinement on the dielectric function and optical vibrational modes of 3C porous silicon carbide from ab-initio calculations using density functional theory and density functional perturbation theory. The porous structures are modelled in the [001] direction by removing columns of atoms of a perfect Si crystal, obtaining two surface configurations: one with only C atoms and another one with Si atoms. Results show that the optical phonon modes of Si and C undergo a shift towards lower frequencies compared to their bulk counterparts due to phonon confinement effects. However, this shift is masked by H bending vibrations. Also, a surface H exchange process is observed on the Si-rich pore surface due to bond stretching and bending vibrations. The dielectric function analysis shows an increased optical activity in the porous cases due to a shift of the conduction band minimum towards gamma point for the C-rich case and high porosity Si-rich case, owing to quantum confinement effects. These results could be important for the applications of these nanostructures devices such as sensors and UV detectors.},

keywords = {DFPT, Dielectric function, Phonon optical modes, Porous silicon carbide},

pubstate = {published},

tppubtype = {article}

}

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