Obtuvo la Licenciatura en Física, la Maestría y el Doctorado en Ciencia e Ingeniería de Materiales en la UNAM. Es Profesor Titular C en el Instituto Politécnico Nacional en la ESIME-Culhuacan, donde formó y coordina el Grupo de Investigación en Nanociencias. Pertenece al Sistema Nacional de Investigadores (SNI)-Nivel 3, ha dirigido 16 tesis doctorales, una estancia sabática, una posdoctoral y tres estancias de investigación en el programa de retención del CONACyT, 16 tesis doctorales, 29 tesis de maestría y 11 de licenciatura, tres de las cuales han obtenido el premio a la mejor tesis de maestría y de doctorado en el IPN y un premio a la mejor tesis doctoral por parte de la UNAM. Ha publicado 121 artículos en revistas internacionales indizadas en el Journal Citation Reports con un alto factor de impacto, así como 37 artículos in extenso como memorias de congresos. Sus trabajos de investigación se han presentado en más de 250 congresos nacionales e internacionales de reconocida calidad académica. Se ha desempeñado como revisor en revistas internacionales como Applied Surface Science, Nanoscale, Physica E, Physica B, Physica Status Solidi (b) así como el Journal of Energy Storage por citar algunas. Adicionalmente ha sido Responsable Técnico de proyectos financiados por el CONACyT, el ICyTDF y el IPN, además ha coordinado varios proyectos multidisciplinarios en el IPN. Fue Presidente de la División de Estado Sólido de la Sociedad Mexicana de Física. Pertenece a la Academia Mexicana de Ciencias. En su trayectoria docente en el IPN, participó en la creación de la carrera de Ingeniería en Computación, así como la Maestría en Ciencias de Ingeniería en Sistemas Energéticoas y fue Coordinador del Doctorado en Comunicaciones y Electrónica a este último se le otorgó la categoría de programa de Competencia Internacional como resultad ode la evaluación en el Programa Nacional de Posgrados de Calidad (PNPC) del CONACyT. Una de sus líneas de investigación son las propiedades electrónicas, ópticas y vibracionales de semiconductores nanoestructurados con aplicaciones en comunicaciones y electrónica, así como en el almacenamiento y conversión de energía.
Miranda, A.; Serrano, F. A.; Vázquez-Medina, R.; Cruz-Irisson, M.
Hydrogen surface passivation of Si and Ge nanowires: A semiempirical approach Artículo de revista
En: International Journal of Quantum Chemistry, vol. 110, no 13, pp. 2448-2454, 2010.
Resumen | Enlaces | BibTeX | Etiquetas: Germanium, Nanowires, optical properties, silicon, Tight-binding
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abstract = {Abstract A semiempirical nearest-neighbor tight-binding approach, that reproduces the indirect band gaps of elemental semiconductors, has been applied to study the electronic and optical properties of Si and Ge nanowires (NWs). The calculations show that Si-NWs keep the indirect bandgap whereas Ge-NWs changes into the direct bandgap when the wire cross section becomes smaller. Also, the band gap enhancement of Si-NWs showing to quantum confinement effects is generally larger than that of similar-sized Ge-NWs, confirming the larger quantum confinement effects in Si than in Ge when they are confined in two dimensions. Finally, the dependence of the imaginary part of the dielectric function on the quantum confinement within two different schemes: intra-atomic and interatomic optical matrix elements are applied. © 2010 Wiley Periodicals, Inc. Int J Quantum Chem 110:2448\textendash2454, 2010},
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